Тиристоры Т273-2000, Т673-2000
Тиристоры Т273-2000, Т673-2000 предназначены для регулирования и преобразования постоянного и переменного тока в цепях.
Тип тиристора | Размеры, мм | Масса, г | Усилие натяжения, Н | ||
А | L1min | L2min | |||
Т273-2000 | 26,0±2 | 12 | 21,7 | 1200 | 47500±2500 |
Т673-2000 | 26,0+3 |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | |||||||
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т273-2000 | Т673-2000 | ||||||
U DSМ U RSМ |
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 |
1200 |
Т jm =125°C. Импульс напряжения синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 10 мс, управляющий вывод разомкнут. | ||||||
U DRМ U RRМ |
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 |
1300 |
Т jm =125°C. Импульсы напряжения синусоидальные однополупериодные длительностью не более 10 мс частотой 50 Гц, управляющий вывод разомкнут | ||||||
U DWМ U RWМ |
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии и рабочее импульсное обратное напряжение, В | 0,8U DRМ 0,8U RRМ |
T jm = 125 о С Импульс напряжения синусои - дальный однополупериодный дли - тельностью 10 мс , частота 50 Гц | ||||||
U D U R | Постоянное напряжение в закрытом состоянии и постоянное обратное напряжение, В | 0,6U DRМ 0,6U RRМ |
Т с =85°C | ||||||
(du D /dt) crit | Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее, для группы: 6 7 8 |
500 |
Т jm =125°C; U DМ =0,67U DRМ t u <200мкс. Цепь управления разомкнута |
||||||
I DRM I RRM |
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более | 8 | Т jm =25°C Цепь управления разомкнута. | ||||||
200 | Т jm =125°C Цепь управления разомкнута. |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметр | Условия установления норм на параметр | |
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т273-2000 | Т673-2000 | |
I c(crit) | Ток термодинамической устойчивости корпуса, кА | 13 | 80 | t i =5,8 мс t i = 8,0 мс(для Т673) |
I 2c(crit) t | Защитный показатель термодинамической стойкости корпуса, А 2 с | 25х106(для Т673) |
Параметры | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | |||||
Буквенное обозначение | Наименование, единиица измерения | Т273-2000 | Т673-2000 | ||||
I T(AV)M | Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А | 2000 | Т с =85°C Импульсы тока синусоидальные однополупериодные длительностью не более 10 мс частотой 50 Гц. |
||||
Фактический максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А | 2175 (12-22кл) 2165 (22-28 кл) |
||||||
I TRMSM | Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А | 3140 | |||||
I TSM | Ударный ток в открытом состоянии, кА | 49,5 (12-22 кл) 44 (24- 28 кл) |
Т j =25°C | ||||
45 (12-22 кл) 40 (24- 28 кл) |
Т jm =125°C Импульс тока синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 10 мс, U R =0, I G =I GT при Т jmin |
||||||
U TM | Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более | 1,75 (12-22 кл) 2,05 (12-22 кл) |
Т j =25°C, I T =3,14 I T(AV)M | ||||
U T(TO) | Пороговое напряжение в открытом состоянии, B, не более | 1,1 (12-22 кл) 1,15 (24-28 кл) |
Т j =25°C | ||||
0,94 (12-22 кл) 0,98 (24-28 кл) |
Т jm =125°C | ||||||
r T | Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм, не более | 0,105 (12-22 кл) 0,14 (24-28 кл) |
Т j =25°C | ||||
0,125 (12-22 кл) 0,20 (24-28 кл) |
Т jm =125°C | ||||||
I н | Ток удержания, мА, не более | 300 | Т j =25°C, U D =12 В цепь управления разомкнута. |
||||
I T(AV) | Средний ток в открытом состоянии на охладителе O193 при T а =40°C, А | Охладитель ОР 173-150 по ТУ У 32. 1- 300 776 85- 015 -20 04, T a = 40оС | |||||
390 (12-22 кл) 355 (24-28 кл) |
естественное охлаждение | ||||||
965 |
принудительное охлаждение v=6 м/с |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметр | |
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т273-2000, Т673-2000 |
|
U GT | Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более | 3,0 | Т j =25°C, U D =12 |
5,0 | Т j =25°C, U D =12 | ||
I GT | Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более | 0,30 | Т j =25°C, U D =12 В |
0,65 | Т jmin =L60°C, U D =12 В | ||
U G | Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, н е менее | 0,40 | Т jm =125°C, U D =0,67U DRM |
I GD | Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не мене е | 20,0 |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | ||
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т273-2000 | Т673-2000 | |
(di T /dt) crit | Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс | 200 | f=50 Гц, Т jm =125°C, U D =0,67U DRM , I T =I T(AV)M | |
800 | Одиночные импульсы, Т jm =125°C, U D =0,67U DRM , I T =2I TAVM ÷3I TAVM , t i G =50 мкс, I G =3I GT (при Т jmin ); длительность фронта не более 1 мкс. Внутреннее сопротивление источника управления 5 Ом. Время испытаний не менее 2 мин | |||
t qt | Время включения, мкс, не более | 30 | Т jm =125°C, I T =I T(AV)M , U D =100 B, I FGM =3I GT , t G =50 мкс | |
t q | Время выключения, мкс, не более, для группы: Е2 Н2 К2 М2 |
500 |
Т jm =125°C, t i min =1 мс, L(di T /dt)=5 А/мкс, t u min =200 мкс (на уровне 0,9 от амплитуды), du D /dt=50 В/мкс |
|
Q rr | Заряд обратного восстановления, мкКл, не более | 2900 | Т jm =125°C, L(di T /dt)=5 А/мкс, I T =I T(AV)M , U R min =100 В, t i min =200 мкс |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | |||
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т273-2000 | Т673-2000 | ||
T jm | Максимально допустимая температура перехода, °C | 125 | |||
T jmin | Минимально допустимая температура перехода, °C | минус 60 | |||
T stgm | Максимально допустимая температура хранения, °C | 50 | |||
T stgmin | Минимально допустимая температура хранения, °C | минус 60 | |||
R thjc | Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт, не более | 0,009 | Постоянный ток | ||
R thch | Тепловое сопротивление корпус-охладитель, °C/Вт, не более | 0,002 | |||
R thjа | Тепловое сопротивление переход-среда с охладителем O193, °C/Вт, не более |
Охладитель O173 по ТУ16-2007 ИЕАЛ.432270.001 ТУ, Ta= 40С |
|||
0,206 | естественное охлаждение | ||||
0,071 | принудительное охлаждение v=6 м/с |
Основные направления деятельности 000 "Элемент-Преобразователь" - разработка, производство и реализация силовых полупроводниковых приборов. Конструкторское подразделение 000 "Элемент-Преобразователь оснащено современными средствами для проведения проектно - исследовательских работ, в области разработки новых и модернизации серийных силовых полупроводниковых приборов. Новые разработки ориентированы на перспективные направления развития энергосберегающих технологий. Применение современных технических решений и технологий, позволяет специалистам решать инженерные задачи на уровне мировых достижений.
На сегодняшний день 000 "Элемент-Преобразователь" предлагает широкий ассортимент приборов средней и большой мощности: диодоы, высоковольтные диодные столбы, тиристоры, триаки, оптронные тиристоры и триаки, модули различных типоисполнений, гибридные беспотенциальные сборки, ЧИПы и полупроводниковые элементы на токи от 5 до 8000А, напряжением от 100 до 4500В.
Варианты доставки |
|
Cроки доставки в Москву через транспортную компанию | от 2-3 дней |
Cроки доставки в Москву через Почту России | от 2 дней |
Цена доставки | Бесплатно |
Стоимость доставки до терминала транспортной компании | Бесплатно |
Отгрузка складских позиций | в течении 1-го дня после оплаты счета |
Адресная доставка по Москве | оговаривается индивидуально |
Оплата |
|
Возможна доставка по Московской области в следующие города |
Балашиха Химки Подольск Королёв Мытищи Люберцы Электросталь Коломна Одинцово Железнодорожный Серпухов Орехово-Зуево Ногинск Сергиев Посад |