Тиристоры Т163-2000, Т263-2000, Т563-2000
Тиристоры Т163-2000, Т263-2000, Т563-2000 предназначены для регулирования и преобразования постоянного и переменного тока в цепях.
Тип тиристора | Размеры, мм | Масса,кг | Усилие сжатия, Н | ||
А | L1min | L2min | |||
Т163-2000 Т263-2000 |
26,0±2 | 10 | 21 | 950 | 22000±2000 |
Т563-2000 | 26,0+3 |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | ||||
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т163-2000 | Т263-2000 Т563-2000 |
|||
U DSМ U RSМ |
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 6 8 9 10 11 12 14 16 18 20 |
600 |
- |
Т jm =125°C. Импульс напряжения синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 10 мс, управляющий вывод разомкнут. | ||
U DRМ U RRМ |
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и повторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов: 6 8 9 10 11 12 14 16 18 20 |
670 |
- |
Т jm =125°C. Импульсы напряжения синусоидальные однополупериодные длительностью не более 10 мс частотой 50 Гц, управляющий вывод разомкнут | ||
U DWМ U RWМ |
Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии и рабочее импульсное обратное напряжение, В | 0,8U DRМ 0,8U RRМ |
||||
U D U R | Постоянное напряжение в закрытом состоянии и постоянное обратное напряжение, В | 0,6U DRМ 0,6U RRМ |
Т с =85°C | |||
(du D /dt) crit | Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс, не менее, для группы: 6 7 8 |
500 |
Т jm =125°C; U DМ =0,67U DRМ t u <200мкс. Цепь управления разомкнута |
|||
I DRM I RRM |
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, повторяющийся импульсный обратный ток, мА, не более | 8 | Т jm =25°C Цепь управления разомкнута. | |||
200 | Т jm =125°C Цепь управления разомкнута. |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметр | Условия установления норм на параметр | |
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т163-2000 Т263-2000 |
Т563-2000 | |
I c(crit) | Ток термодинамической устойчивости корпуса, кА | 13 | 75 | t i =5,8 мс мс (для Т163, Т263) t i =8,0 мс (для Т563) |
I 2c(crit) t | Защитный показатель термодинамической стойкости корпуса, А 2 с | 20х106 (для Т563) |
Параметры | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | |||||
Буквенное обозначение | Наименование, единиица измерения | Т163-2000 | Т263-2000 Т563-2000 |
||||
I T(AV)M | Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А | 2000 | Т с =85°C Импульсы тока синусоидальные однополупериодные длительностью не более 10 мс частотой 50 Гц. |
||||
Фактический максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, А | 2215 | 2010 | |||||
I TRMSM | Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А | 3140 | |||||
I TSM | Ударный ток в открытом состоянии, кА | 60,5 | 49,5 | Т j =25°C | |||
55 | 45 | Т jm =125°C Импульс тока синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 10 мс, U R =0, I G =I GT при Т jmin |
|||||
U TM | Импульсное напряжение в открытом состоянии, В, не более | 1,45 | 1,75 | Т j =25°C, I T =3,14 I T(AV)M | |||
U T(TO) | Пороговое напряжение в открытом состоянии, B, не более | 1,00 | 1,1 | Т j =25°C | |||
0,88 | 0,91 | Т jm =125°C | |||||
r T | Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм, не более | 0,07 | 0,1 | Т j =25°C | |||
0,093 | 0,125 | Т jm =125°C | |||||
I н | Ток удержания, мА, не более | 300 | Т j =25°C, U D =12 В цепь управления разомкнута. |
||||
I T(AV) | Средний ток в открытом состоянии на охладителе O193 при T а =40°C, А | Охладитель ОР 153-150 по ТУ У 32. 1- 300 776 85- 015 -20 04, T a = 40оС | |||||
410 | 390 | естественное охлаждение | |||||
1005 | 935 | принудительное охлаждение v=6 м/с |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметр | |
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т163-2000 Т263-2000 Т563-2000 |
|
U GT | Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более | 3,0 | Т j =25°C, U D =12 |
5,0 | Т j =25°C, U D =12 | ||
I GT | Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более | 0,30 | Т j =25°C, U D =12 В |
0,65 | Т jmin =L60°C, U D =12 В | ||
U G | Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, н е менее | 0,30 | Т jm =125°C, U D =0,67U DRM |
I GD | Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не мене е | 20,0 |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | ||
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т163-2000 | Т263-2000 Т563-2000 |
|
(di T /dt) crit | Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс | 200 | f=50 Гц, Т jm =125°C, U D =0,67U DRM , I T =I T(AV)M | |
800 | Одиночные импульсы, Т jm =125°C, U D =0,67U DRM , I T =2I TAVM ÷3I TAVM , t i G =50 мкс, I G =3I GT (при Т jmin ); длительность фронта не более 1 мкс. Внутреннее сопротивление источника управления 5 Ом. Время испытаний не менее 2 мин | |||
t qt | Время включения, мкс, не более | 30 | Т jm =125°C, I T =I T(AV)M , U D =100 B, I FGM =3I GT , t G =50 мкс | |
t q | Время выключения, мкс, не более, для группы: К2 М2 Р2 Т2 |
320 |
Т jm =125°C, t i min =1 мс, L(di T /dt)=5 А/мкс, t u min =200 мкс (на уровне 0,9 от амплитуды), du D /dt=50 В/мкс |
|
Q rr | Заряд обратного восстановления, мкКл, не более | 1500 | 2100 | Т jm =125°C, L(di T /dt)=5 А/мкс, I T =I T(AV)M , U R min =100 В, t i min =200 мкс |
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | |
Буквенное обозначение | Наименование, единица измерения | Т163-2000 Т263-2000 Т563-2000 |
|
T jm | Максимально допустимая температура перехода, °C | 125 | |
T jmin | Минимально допустимая температура перехода, °C | минус 60 | |
T stgm | Максимально допустимая температура хранения, °C | 50 | |
T stgmin | Минимально допустимая температура хранения, °C | минус 60 | |
R thjc | Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт, не более | 0,013 | Постоянный ток |
R thch | Тепловое сопротивление корпус-охладитель, °C/Вт, не более | 0,003 | |
R thjа | Тепловое сопротивление переход-среда с охладителем O193, °C/Вт, не более | ОхладительОР153-150 по ТУ У 32. 1-3 007 7685 -0 15- 200 4 | |
0,211 | естественное охлаждение | ||
0,076 | принудительное охлаждение v=6 м/с |
Основные направления деятельности 000 "Элемент-Преобразователь" - разработка, производство и реализация силовых полупроводниковых приборов. Конструкторское подразделение 000 "Элемент-Преобразователь оснащено современными средствами для проведения проектно - исследовательских работ, в области разработки новых и модернизации серийных силовых полупроводниковых приборов. Новые разработки ориентированы на перспективные направления развития энергосберегающих технологий. Применение современных технических решений и технологий, позволяет специалистам решать инженерные задачи на уровне мировых достижений.
На сегодняшний день 000 "Элемент-Преобразователь" предлагает широкий ассортимент приборов средней и большой мощности: диодоы, высоковольтные диодные столбы, тиристоры, триаки, оптронные тиристоры и триаки, модули различных типоисполнений, гибридные беспотенциальные сборки, ЧИПы и полупроводниковые элементы на токи от 5 до 8000А, напряжением от 100 до 4500В.
Варианты доставки |
|
Cроки доставки в Москву через транспортную компанию | от 2-3 дней |
Cроки доставки в Москву через Почту России | от 2 дней |
Цена доставки | Бесплатно |
Стоимость доставки до терминала транспортной компании | Бесплатно |
Отгрузка складских позиций | в течении 1-го дня после оплаты счета |
Адресная доставка по Москве | оговаривается индивидуально |
Оплата |
|
Возможна доставка по Московской области в следующие города |
Балашиха Химки Подольск Королёв Мытищи Люберцы Электросталь Коломна Одинцово Железнодорожный Серпухов Орехово-Зуево Ногинск Сергиев Посад |